Αυτό θα επιτρέψει την κατασκευή chip με έως και 30 δισεκατομμύρια τρανζίστορ σε μέγεθος το οποίο δεν θα ξεπερνάει το μέγεθος ενός νυχιού. Σύμφωνα με την IBM, χρησιμοποιήθηκε και πάλι ακραία υπεριώδης λιθογραφία (EUV), όπως και στην περίπτωση των 7nm, αλλά αντί για την σχεδίαση FinFET, επιλέγει μια νέου τύπου σχεδίαση η οποία υιοθετεί στοίβες νανο-φύλλων πυριτίου. Η επιλογή αυτή επιτρέπει την καλύτερη βελτιστοποίηση των κυκλωμάτων, επιτρέποντας την μεγιστοποίηση των επιδόσεών τους.
Έτσι μόλις δύο χρόνια μετά την ανακοίνωση της μεθόδου κατασκευής των 7nm που θα επέτρεπε την δημιουργία chip των 20 δισεκατομμυρίων τρανζίστορ, πλέον στα 5nm, μιλάμε για chip των 30 δισεκατομμυρίων τρανζίστορ. Η νέα αυτή μέθοδος κατασκευής αναμένεται να προσφέρει chip τα οποία θα χρησιμοποιηθούν κυρίως στις αγορές των IoT, αλλά και αυτή των mobile συσκευών, επιτρέποντας στις συσκευές αυτές να προσφέρουν σημαντικά υψηλότερες επιδόσεις, σημαντικά μεγαλύτερη αυτονομία ή συνδυασμό αυτών.
Βέβαια, με τις πρώτες συσκευές που αξιοποιούν chip των 7nm να αναμένονται μέσα στο 2018, όπως είναι λογικό, chip που θα κατασκευάζονται με την νέα αυτή μέθοδο των 5nm, αναμένεται να εμφανιστούν μερικά χρόνια αργότερα. Μπορείτε να διαβάσετε το σχετικό δελτίο τύπου της IBM εδώ: IBM News room - 2017-06-05 IBM Research Alliance Builds New Transistor for 5nm Technology - United States
0 Post a Comment:
Δημοσίευση σχολίου